专利详情
Patent Detail
| 专利类别：发明 | 申请号： CN201510671681.9 | 申请日期：2015-10-15 |
| 公开日期：2018-02-06 | 专利名称： 一种制备具有介孔结构的复合半导体材料的方法 | 发明人：李孟丽,张玲霞,吴玫颖,杜燕燕,施剑林 |
| 法律状态：专利权的转移 | 申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所 | 公开号：CN105381812B |
| 主分类号：B01J27/24(20060101) | 优先权号： | 行业分类：作业；运输 |
| 优先权日： | 专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所苏州研究院 |
专利附图
Patent Picture
摘 要
Summary
本发明涉及一种制备具有介孔结构的复合半导体材料的方法，包括以下步骤：步骤1）将类石墨氮化碳前驱体、硬模板SiO<Sub>2</Sub>球分散在水中，在25～50℃下搅拌10～60分钟，其中，所述类石墨氮化碳前驱体与水的质量比为1～20，所述SiO<Sub>2</Sub>球与水的质量比为0.1～1；步骤2）按照0～2的质量比将Ce源加入步骤1）得到的溶液中，在25～50℃下搅拌0.5～6小时；步骤3）将步骤2）得到的溶液蒸干水分，隔夜干燥，得到粉末混合物；步骤4）将步骤3）得到的粉末混合物在300～600℃下煅烧1～4小时，得到淡黄色粉末；步骤5）将步骤4）得到的淡黄色粉末除去硬模板，离心，干燥，得到具有介孔结构的复合半导体材料。
交易流程
Transaction Process
过户资料
Transfer Information
具体描述
Specific Description