专利详情
Patent Detail
| 专利类别：发明 | 申请号： CN201310081938.6 | 申请日期：2013-03-14 |
| 公开日期：2016-03-23 | 专利名称： 一种制备掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜的方法 | 发明人：刘光辉,杨华,刘茜,魏钦华,周真真,卢琦 |
| 法律状态：授权 | 申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所 | 公开号：CN104046984B |
| 主分类号：C23C26/00(20060101) | 优先权号： | 行业分类：化学；冶金 |
| 优先权日： | 专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所 |
专利附图
Patent Picture
摘 要
Summary
本发明公开了一种制备掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜的方法，其包括如下步骤：a)对单晶硅片进行表面清洁和去氧化层预处理；b)采用化学刻蚀方法在经步骤a)预处理后的单晶硅片表面刻蚀出多孔；c)将步骤b)获得的表面刻蚀有多孔的单晶硅片置入Ce<Sub>x</Sub>Lu<Sub>1-x</Sub>(NO<Sub>3</Sub>)<Sub>3</Sub>乙酸溶液中，在25～60℃下浸渍8～12小时后，干燥备用；其中，Ce<Sub>x</Sub>Lu<Sub>1-x</Sub>(NO<Sub>3</Sub>)<Sub>3</Sub>中的x=0.001～0.040；d)将步骤c)得到的单晶硅片在惰性气氛中、于1000～1200℃下进行热处理2～4小时。本发明可实现以简单操作、低成本、大面积制备厚度可达30～60微米、且薄膜与衬底结合牢固的掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜，具有应用前景。
交易流程
Transaction Process
过户资料
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具体描述
Specific Description