专利详情
Patent Detail
| 专利类别：实用新型 | 申请号： CN200820212300.6 | 申请日期：2008-09-28 |
| 公开日期：2009-09-16 | 专利名称： 2N阶伽玛产生电路 | 发明人：管少钧,龚夺,何志强,杨云,冯卫 |
| 法律状态：未缴年费专利权终止 | 申请人：比亚迪股份有限公司 | 公开号：CN201311768Y |
| 主分类号：G09G3/36(20060101) | 优先权号： | 行业分类：物理 |
| 优先权日： | 专利权人：比亚迪股份有限公司 |
专利附图
Patent Picture
摘 要
Summary
本实用新型公开了一种2N(N为大于或等于1的正整数)阶伽玛产生电路，包括N阶伽玛电压产生电路和运算电路，其中所述的运算电路包括：存储FRC调制数据的SRAM存储器；与SRAM存储器连接、对所述FRC调制数据进行FRC调制处理的FRC调制模块；分别与FRC调制模块连接、N阶伽玛电压产生电路及地连接的根据FRC调制模块处理后的数据选择电压输出的选择器。本实用新型利用具有FRC调制功能的运算电路，只需要N阶伽玛电压产生电路所需电阻就能实现2N阶伽玛电压，减少了2N阶伽玛电压产生电路使用的电阻数量，减少伽玛电压产生电路所占的芯片面积，达到节省芯片面积的目的。
交易流程
Transaction Process
过户资料
Transfer Information
具体描述
Specific Description