专利详情
Patent Detail
| 专利类别：发明 | 申请号： CN201511019482.6 | 申请日期：2015-12-29 |
| 公开日期：2016-04-20 | 专利名称： 薄膜太阳能电池及其缓冲层的制备方法 | 发明人：刘艳云,顾光一,冯叶,冯丽丽,童君,马续航,宋秋明,杨春雷,肖旭东 |
| 法律状态：授权 | 申请人：深圳先进技术研究院 | 公开号：CN105514198A |
| 主分类号：H01L31/0445(20140101) | 优先权号： | 行业分类：电学 |
| 优先权日： | 专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院,中国科学院大学深圳先进技术学院 |
专利附图
Patent Picture
摘 要
Summary
本发明涉及一种薄膜太阳能电池，包括依次叠合的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层和透明导电层，缓冲层包括多层子缓冲层，子缓冲层为Zn<Sub>1-x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O，其中0≤x≤t，0.2≤t≤0.4，随光吸收层至透明导电层的方向上，多层子缓冲层的x值在0～t内逐渐减小。上述缓冲层的一侧为ZnO，另一侧为Zn<Sub>1-t</Sub>Mg<Sub>t</Sub>O。Zn<Sub>1-t</Sub>Mg<Sub>t</Sub>O的导带底略高于CIGS吸收层的导带，ZnO的能带与透明导电层的能带完美对接，因此减少了缓冲层与吸收层界面处的载流子复合，提高了开路电压。同时避免了缓冲层的导带底显著高于CIGS吸收层的导带形成较高的电子势垒，进而阻碍电子的运输导致短路电流密度降低的问题，可使薄膜太阳能电池的开路电压与短路电流密度共同提高。本发明还提供了薄膜太阳能电池缓冲层的制备方法。
交易流程
Transaction Process
过户资料
Transfer Information
具体描述
Specific Description