专利详情
Patent Detail
| 专利类别：发明 | 申请号： CN201310687514.4 | 申请日期：2013-12-12 |
| 公开日期：2015-09-16 | 专利名称： 铜铟镓硒薄膜的制备方法 | 发明人：熊治雨,肖旭东,杨春雷 |
| 法律状态：授权 | 申请人：深圳先进技术研究院,香港中文大学 | 公开号：CN103710668B |
| 主分类号：C23C14/24(20060101) | 优先权号： | 行业分类：化学；冶金 |
| 优先权日： | 专利权人：深圳先进技术研究院,香港中文大学 |
专利附图
Patent Picture
摘 要
Summary
本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法。该铜铟镓硒薄膜的制备方法包括步骤一为：在硒气氛中，共蒸镓和铟，使硒、镓和铟沉积于衬底上；步骤二为：提高衬底温度，在硒气氛中，蒸发铜，使硒和铜沉积于衬底上；步骤三为：保持衬底温度，在硒气氛中，共蒸镓和铟，形成铜铟镓硒薄膜。步骤一与步骤三的共蒸时间的比值为5:1～7:1。通过提高热镓和铟的蒸发温度加速薄膜沉积，设置步骤一和步骤三的蒸发量之间的配比关系，使铟更多地进入薄膜内部并增加薄膜表面的镓含量，显著地改善各元素的梯度分布，减少铜铟镓硒薄膜表面缺陷，提高铜铟镓硒薄膜的质量并降低能源消耗。
交易流程
Transaction Process
过户资料
Transfer Information
具体描述
Specific Description